• Вы находитесь тут:
  • Bad Android
  • Новости
  • Samsung Electronics запускает производство памяти с высокой пропускной способностью HBM2 на 8 ГБ и рекордной скоростью передачи данных

Samsung Electronics запускает производство памяти с высокой пропускной способностью HBM2 на 8 ГБ и рекордной скоростью передачи данных

12 января 2018 года компания Samsung Electronics, мировой лидер в области передовых технологий памяти, сообщила о старте массового производства второго поколения памяти с высокой пропускной способностью HBM2.


Объем памяти составляет 8 Гб, а само устройство обеспечивает максимальную скорость передачи данных на современном рынке. Новое решение Aquabolt первым в индустрии достигло скорости передачи информации на уровне 2.4 Гбит/с на один контакт. Новинка должна ускорить процесс популяризации суперкомпьютеров и развитие рынка графических карт.

HBM2 Aquabolt

Интерфейс HBM2 Aquabolt демонстрирует максимальную производительность DRAM-памяти, которая подойдет для суперкомпьютеров следующего поколения, решений искусственного интеллекта и графических систем.

«Производство первой в индустрии 8 Гб памяти HBM2 на 2,4 Гбит/с еще больше укрепляет наше технологическое лидерство и конкурентоспособность, — подчеркивает Джесу Хан (Jaesoo Han), исполнительный вице-президент отдела продаж и маркетингу устройств памяти Samsung Electronics. — Мы продолжим усиливать позиции компании на рынке путем обеспечения стабильного предложения памяти HBM2 во всем мире в соответствии с ожиданиями наших пользователей».

HBM2 8 Гб обеспечивает максимальный уровень производительности DRAM-памяти на сегодня. Модель показывает скорость передачи на уровне 2,4 Гбит/с при напряжении в 1,2 В, которые соответствуют 50% повышению производительности в сравнении с первым поколением интерфейса HBM2 8 Гб. Предыдущая модель демонстрировала 1,6 Гбит/с при 1,2 В и 2,0 Гбит/с при 1,35 В.

Благодаря указанным улучшениям одна схема Samsung HBM2 8 Гб обеспечивает пропускную способность на уровне 307 Гб/сек. Скорость передачи данных в 9,6 раз выше результатов 8Гб чипа GDDR5 с пропускной способностью в 32 Гб/сек. Использование четырех схем HBM2 в системе увеличит пропускную способность до 1,2 Тб/с, что на 50% больше результатов аналогичного интерфейса HBM2 со скоростью 1,6 Гбит/сек.

Новое решение Samsung Aquabolt существенно укрепляет лидерство компании в развитии премиального сегмента рынка DRAM-памяти. К тому же Samsung продолжит предлагать передовые решения HBM2 для продвижения первого поколения HBM2 под названием Flarebolt и второго — Aquabolt. Вместе решения будут увеличивать масштабы рынка в течение ближайших нескольких лет.

Для достижения невероятной производительности Aquabolt Samsung применила новые технологии, связанные с TSV-проектированием и контролем температуры. Одна схема HBM2 8 Гб состоит из восьми матриц HBM2 8 Гбит, соединенных по вертикали с использованием более чем 5000 TSV связей сквозь кремний на один кристалл. Samsung минимизировала потенциальные риски и значительно повысила производительность чипа.

Samsung также увеличила количество тепловых ударов между матрицами HBM2, чем обеспечила более надежный контроль температуры в каждой схеме. К тому же новый интерфейс HBM2 имеет дополнительный защитный слой на дне для укрепления конструкции.

Samsung отмечает растущий спрос на высокопроизводительные интерфейсы HBM2 памяти DRAM, поэтому обеспечит стабильные поставки Aquabolt для глобальных IT-партнеров. Компания продолжит улучшать передовые технологии памяти вместе с ведущими производителями устройств из разных сфер. Включая создание суперкомпьютеров, искусственного интеллекта и работы с графикой.

Samsung Galaxy A8

  • Вы находитесь тут:
  • Bad Android
  • Новости
  • Samsung Electronics запускает производство памяти с высокой пропускной способностью HBM2 на 8 ГБ и рекордной скоростью передачи данных
  • Вы находитесь тут:
  • Bad Android
  • Новости
  • Samsung Electronics запускает производство памяти с высокой пропускной способностью HBM2 на 8 ГБ и рекордной скоростью передачи данных