Intel нашла замену технологии CMOS

Ученые от компании Intel из Калифорнийского университета в Беркли и Национальной лаборатории им. Лоуренса в Беркли разработали магнитоелектричный спин-орбитальный логический элемент (MESO — magneto-electric spin-orbit). Он придет на замену технологии CMOS (complementary metal-oxide-semiconductor / КМОП — комплементарная структура металл-оксид-полупроводников), то есть обычным транзисторам.

Компания Intel считает, что применение MESO сможет вывести электронику из тупика. Преимуществом MESO является то, что напряжение, необходимое для его переключения, в пять раз ниже напряжения при переключении CMOS. Проведенные эксперименты показали, что для переключения достаточно 500 мВ. Однако, ученые подсчитали, что это значение можно довести до 100 мВ. В результате, процессоры на MESO потребляют в 10−30 раз меньше энергии по сравнению с чипами на транзисторах. В перспективе можно говорить о повышении энергоэффективности в 10−100 раз по сравнению с тем, чего в будущем можно добиться от CMOS.

Главным прорывом в создании MESO стало появление топологических материалов со спин-орбитальным эффектом. В отличие от приборов CMOS, работа которых связана с потоками электронов, принцип работы приборов MESO основан на эффекте спин-орбитальной трансдукции, что отражает связь момента импульса электрона с его линейным импульсом. Все представленные разработки находятся на ранних стадиях исследования. Когда они станут коммерческим продуктом, сегодня никто не знает.

0

Комментарии


Чтобы оставить комментарий, пожалуйста, авторизируйтесь!