Intel нашла замену технологии CMOS

Компания Intel считает, что применение MESO сможет вывести электронику из тупика. Преимуществом MESO является то, что напряжение, необходимое для его переключения, в пять раз ниже напряжения при переключении CMOS. Проведенные эксперименты показали, что для переключения достаточно 500 мВ. Однако, ученые подсчитали, что это значение можно довести до 100 мВ. В результате, процессоры на MESO потребляют в 10−30 раз меньше энергии по сравнению с чипами на транзисторах. В перспективе можно говорить о повышении энергоэффективности в 10−100 раз по сравнению с тем, чего в будущем можно добиться от CMOS.

Главным прорывом в создании MESO стало появление топологических материалов со спин-орбитальным эффектом. В отличие от приборов CMOS, работа которых связана с потоками электронов, принцип работы приборов MESO основан на эффекте спин-орбитальной трансдукции, что отражает связь момента импульса электрона с его линейным импульсом. Все представленные разработки находятся на ранних стадиях исследования. Когда они станут коммерческим продуктом, сегодня никто не знает.