• Вы находитесь тут:
  • Bad Android
  • Новости
  • Samsung Electronics представляет микросхемы высокой емкости

Samsung Electronics представляет микросхемы высокой емкости

Компания Samsung Electronics начала массовое производство микросхем DRAM памяти высокой емкости, предназначенных для мобильных устройств.

Новая разработка представляет первый в отрасли 12 Гб модуль с пониженным энергопотреблением, выполненный в корпусе LPDDR4X (low-power double data rate 4X), оптимизированный для будущих смартфонов премиум-класса. Обладая большей емкостью, чем память у большинства ультратонких ноутбуков, новые микросхемы мобильной DRAM памяти позволят в полной мере реализовать все возможности смартфонов следующего поколения.

Благодаря 12Гб мобильной DRAM памяти производители смартфонов смогут максимально расширить потенциал своих устройств, которые все чаще оснащаются большим количеством камер, увеличенным экраном, поддерживают работу с технологиями искусственного интеллекта и сетями 5G. Новый вид памяти позволит быстрее переключаться между многочисленными приложениями на сверхбольших экранах с высоким разрешением. Поскольку память выполнена в корпусе высотой всего 1,1 мм, новые смартфоны могут стать еще тоньше и изысканней.

Модули емкостью 12Гб были получены благодаря объединению шести 16-гигабитных чипов LPDDR4X второго поколения, выполненных согласно техпроцессу 10-нм класса (1y-nm), в едином корпусе, что увеличивает пространство для аккумулятора смартфона. Кроме того, фирменная технология 1y-nm обеспечивает скорость передачи данных на уровне 34,1 Гб / с, при этом сокращая рост энергопотребления, обусловленного увеличением емкости DRAM.

С момента выпуска мобильной DRAM памяти емкостью 1 Гб в 2011 году Samsung увеличивает емкость устройств, предлагая модули емкостью 6Гб (в 2015 году) и 8 Гб (в 2016 году). Теперь и первый в отрасли модуль LPDDR4X емкостью 12Гб. Samsung намерена нарастить мощности своей ультрасовременной производственной линии в корейском Пьйонгтеке (Pyeongtaek) и планирует в течение второй половины 2019 года более чем втрое увеличить поставки модулей мобильной памяти DRAM емкостью 8 Гб и 12Гб, выполненной согласно техпроцессу 1y-nm.

0

Комментарии


Чтобы оставить комментарий, пожалуйста, авторизируйтесь!
  • Вы находитесь тут:
  • Bad Android
  • Новости
  • Samsung Electronics представляет микросхемы высокой емкости
  • Вы находитесь тут:
  • Bad Android
  • Новости
  • Samsung Electronics представляет микросхемы высокой емкости